感應加熱設(shè)備電源是感應加熱的關(guān)鍵設(shè)備之一，感應加熱設(shè)備電源的發(fā)展與電力電子學及電力半導體器件的發(fā)展密切相關(guān)，70年代末和80年代初現(xiàn)代半導體微集成加工技術(shù)與功率半導體技術(shù)的結(jié)合，為開發(fā)新型功率半導體器件提供了條件，相繼出現(xiàn)了一大批全控型電力電子半導體器件，極大地推動了電力電子學發(fā)展，為固態(tài)超音頻、高頻電源的研制提供了堅實的基礎(chǔ)。
     其中，影響力最大的是1983年美國GE公司發(fā)明的一種新的很有前途的功率期間-IGBT,它綜合了MOS管與雙極晶體管的有點，在其通態(tài)壓降低的同時開關(guān)速度加快，自1988年解決了摯住問題后（由寄生NPN晶體管引起），大功率告訴IGBT已成為眾多加熱電源的首選器件，頻率高達100KHZ，功率高達Mw級電源已可實現(xiàn)。
     如1994年，日本采用IGBT研制出了120OWk，50KHz的電流型并聯(lián)逆變感應加熱設(shè)備的電源，逆變器工作于零電壓開關(guān)狀態(tài)，并實現(xiàn)了微機控制，西班牙在1993年已報道了30kw-600kw,50-100KHz電流型并聯(lián)逆變感應加熱設(shè)備電源，歐美地區(qū)的其它一些國家如英國、法國、瑞士等國的系列化超音頻感應加熱設(shè)備電源目前最大容量也達數(shù)百千瓦。
     國內(nèi)在90年代初，浙江大學開始了對IGBT超音頻電源的研制，1996年5kow/50HkzIGBT電流型并聯(lián)逆變感應加熱電源通過了產(chǎn)品鑒定，目前的研制水平為200KW、50KHZ與國外的水平仍有相當大的距離。